摘要:本研究系统评估了8英寸绝缘层上硅平台光刻与干法刻蚀工艺的晶圆级均匀性对硅光无源器件物理形貌及光学性能的映射关系。基于220 nm顶层硅平台,采用深紫外光刻与电感耦合等离子体反应离子刻蚀工艺,完成了光（试读）...
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